【摘要】：
激光切割工藝利用調(diào)焦后的激光對工件表面或內(nèi)部進行加工，并將其分離。由于激光切割是一種非接觸加工工藝，避免了工具磨損和機械應力的影響，大大提高了SiC晶圓切割表面的粗糙度和加工精度。激光切割還可以減少后續(xù)拋光切削工藝的需求，降低材料損傷并
晶圓的種類包括硅晶圓、LED晶圓和碳化硅（SiC）晶圓等。隨著社會的不斷發(fā)展，SiC晶圓作為一種新型半導體設(shè)備，在電動汽車、太陽能逆變器、雷達系統(tǒng)等高溫、高壓、高頻領(lǐng)域得到了廣泛的應用。作為一種寬帶材料，SiC具有寬帶隙、高機械強度和高傳熱性能，但它也是一種非常硬脆的材料，加工難度較大，尤其是在后續(xù)的工藝過程中。晶圓的切割是半導體功率設(shè)備制造中非常重要的一部分，切割方法和切割質(zhì)量直接影響晶圓的厚度、表面粗糙度、尺寸和生產(chǎn)成本，對功率器件的制造產(chǎn)生重要影響。目前，SiC碳化硅晶圓的切割工藝主要分為金剛石刀片切割和激光切割兩種。下面將對SiC晶圓的激光切割工藝進行詳細介紹。
激光切割工藝利用調(diào)焦后的激光對工件表面或內(nèi)部進行加工，并將其分離。由于激光切割是一種非接觸加工工藝，避免了工具磨損和機械應力的影響，大大提高了SiC晶圓切割表面的粗糙度和加工精度。激光切割還可以減少后續(xù)拋光切削工藝的需求，降低材料損傷并降低成本，減少傳統(tǒng)磨削拋光工藝帶來的環(huán)境污染。激光切割技術(shù)早已應用于碳化硅切割、硅晶錠切割和石英材料切割（主要用于濾色片領(lǐng)域激光切割和裂片工藝）等領(lǐng)域。
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